taiyo-umk325b7475km-p

太诱 UMK325B7475KM-P

PN: UMK325B7475KM-P

太诱UMK325B7475KM-P是一款1210封装(3225公制)的多层陶瓷电容(MLCC),电容值为4.7μF,额定电压50V,采用X7R温度特性,容差为±10%。该电容具有稳定的电气性能和可靠性,适用于各种电子电路的滤波、去耦和旁路应用。

技术参数

太诱 UMK325B7475KM-P Technical Specifications - Column 1
参数名称参数值
电容值4.7μF
封装1210 (3225)
容差±10%
ESR未明确提及(典型MLCC,ESR较低)
特性高电容密度,稳定的温度特性,标准容差
认证未明确提及
太诱 UMK325B7475KM-P Technical Specifications - Column 2
参数名称参数值
额定电压50V
温度系数X7R
工作温度-55°C ~ +125°C
材质多层陶瓷
系列UMK (旧系列) / MSASU (新系列)
应用场景通用型(滤波、去耦、旁路)

太诱(TAIYO YUDEN) UMK325B7475KM-P 多层陶瓷电容

产品概述

UMK325B7475KM-P(新品号:MSASU32MSB7475KPNA01)是太阳诱电(TAIYO YUDEN)生产的一款高性能多层陶瓷电容器(MLCC)。该器件采用1210英制(3225公制)封装,提供4.7μF的中等电容值,额定工作电压为50V,并具备X7R温度特性,确保在宽温度范围内电容值保持稳定。

关键特性

  • 高电容密度:在1210封装内实现4.7μF的电容值,节省电路板空间。
  • 稳定的温度特性:X7R材质保证在-55°C至+125°C的工作温度范围内,电容变化率在±15%以内。
  • 标准容差:±10%的容差满足大多数通用电路的设计需求。
  • 可靠的结构:采用多层陶瓷技术,提供优异的机械强度和电气可靠性。

典型应用

  • 电源电路的输入/输出滤波
  • 数字IC的电源去耦
  • 模拟信号旁路
  • 通用消费电子、工业控制和通信设备

规格参数

参数
料号UMK325B7475KM-P (旧) / MSASU32MSB7475KPNA01 (新)
电容值4.7μF
额定电压50V DC
温度特性X7R
容差±10%
封装尺寸1210 (英制) / 3225 (公制: 3.2mm x 2.5mm)
工作温度范围-55°C ~ +125°C
介质材料陶瓷 (多层结构)

注意事项

  • 焊接时请遵循推荐的回流焊温度曲线,避免热冲击。
  • 存储和使用时需注意防潮,以防端电极氧化或性能劣化。